Poinformowano, że ma Aixtron, wiodącym dostawcą na świecie osadzania sprzętu dla przemysłu półprzewodników, powiedział, że Plessey zarządził jego platforma planetarne reaktora AIX G5 + C. Plessey planuje zwiększyć pojemność krzemu na GaN (GaN-on-Si) epitaksjalnymi dla następnej generacji MicroLED aplikacji za pomocą systemu osadzania (MOCVD) metalowe organicznych oparów chemicznych.
AIX G5 + C MOCVD system zapewnia moduł transferu wafel automatyczna Kaseta (C2C) dwie opcje konfiguracji niezależne komory 8 * 6" lub 5 * 8" GaN-on-Si wafli w zamkniętych automatyczne ładowanie i usuwanie w środowisku kasety.
AI Siqiang powiedział, że zautomatyzowane technologia czyszczenia nowej platformy reaktora zapewnia, że sprzęt jest czyszczone, za każdym razem, gdy działa, przyczyniając się do zmniejszenia wafel wady i znacząco zmniejszyć czas przestojów. Nowy sprzęt oferuje również szybszego zakończenia i chłodzenia, a wyższe dla rozładunku susceptor temperatury, aby zredukować czas przepis.
AIX G5 + C reaktor platformy będzie wspierać Plessey's planuje zwiększyć jego możliwości MicroLED R&D chipie firmy technologii GaN-on-Si.
Plessey mówi jego MicroLEDs mają niezwykle wysoką jasność i gęstość pikseli i zużywają bardzo mało energii. Te cechy mają potencjał, aby mieć wpływ na szereg istniejących aplikacji w technologii tradycyjnej wyświetlania, w tym monitory LCD i OLED. MicroLED wyświetlanie łączy tablicy pikseli RGB o bardzo wysokiej gęstości z CMOS Płyta montażowa do zapewnienia bardzo wysokiej jasności, małej mocy i Obud szybkość źródła obrazu do noszenia urządzenia elektroniczne i głowy zamontowane wyświetlacze, jak i rozszerzonej rzeczywistości i systemów wirtualnej rzeczywistości.
